白光干涉儀是用于對(duì)各種精密器件表面進(jìn)行納米級(jí)測(cè)量的儀器，它是以白光干涉技術(shù)為原理，光源發(fā)出的光經(jīng)過(guò)擴(kuò)束準(zhǔn)直后經(jīng)分光棱鏡后分成兩束，一束經(jīng)被測(cè)表面反射回來(lái)，另外一束光經(jīng)參考鏡反射，兩束反射光最終匯聚并發(fā)生干涉，顯微鏡將被測(cè)表面的形貌特征轉(zhuǎn)化為干涉條紋信號(hào)，通過(guò)測(cè)量干涉條紋的變化來(lái)測(cè)量表面三維形貌。白光干涉儀專用于非接觸式快速測(cè)量，精密零部件之重點(diǎn)部位的表面粗糙度、微小形貌輪廓及尺寸，其測(cè)量精度可以達(dá)到納米級(jí)！
目前，在3D測(cè)量領(lǐng)域，白光干涉儀是精度最高的測(cè)量?jī)x器之一。白光干涉儀比較適合檢測(cè)的樣品按領(lǐng)域分為消費(fèi)電子類、半導(dǎo)體封裝、超精密加工（機(jī)械、光學(xué)）、微納材料這四個(gè)大的領(lǐng)域；其中消費(fèi)電子類即智能電子產(chǎn)品的玻璃外殼、內(nèi)嵌組裝要求比較高的超光滑薄片（如home鍵里的薄片、手機(jī)攝像頭里面的薄片）；
半導(dǎo)體行業(yè)的整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈上的工藝流程如下：硅棒經(jīng)過(guò)一系列切削、打磨物理化學(xué)方法后獲得比較粗糙的硅片，硅片經(jīng)過(guò)單面拋光后即成為可進(jìn)行蝕刻工藝（將IC芯片蝕刻到拋光面）的硅片，上述兩個(gè)步驟獲得的是半導(dǎo)體領(lǐng)域里原材料硅片，屬于來(lái)料部分，來(lái)料部分對(duì)拋光后的硅片拋光面粗糙度有要求，一般要求在1nm及以下，但由于制作這類硅片屬于行業(yè)上游原材料企業(yè)，在拋光后硅片表面粗糙度不一定會(huì)做強(qiáng)制的檢測(cè)要求，目前了解到該類型企業(yè)檢測(cè)比較少。
